定義：
刻蝕是通過物理化學(xué)方法將需要去除的材料從襯底上去除的一個可控的過程，刻蝕后在硅片上呈現(xiàn)出邏輯電路結(jié)構(gòu)?？涛g工藝主要有兩大類：濕法和干法刻蝕。濕法刻蝕是將晶片浸沒于適當?shù)幕瘜W(xué)溶液中，或?qū)⒒瘜W(xué)溶液噴灑至晶片上，經(jīng)由溶液與被刻蝕物間的化學(xué)反應(yīng)，來移除薄膜表面的原子，一般稱之為腐蝕。干法刻蝕是指利用具有一定能量的離子或原子通過離子的物理轟擊、化學(xué)腐蝕，或者兩者的協(xié)同作用達到刻蝕的目的。兩種方法的主要目標都是將光刻掩模版上的圖形精確地轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶圓的表面。
類型：
干法刻蝕：深硅刻蝕（亞微米深刻蝕、異形深硅刻蝕）、NoBosch工藝、離子束刻蝕、金屬干法刻蝕、介質(zhì)膜（氮化硅、氧化硅等）刻蝕、Ⅲ-Ⅴ族化合物材料刻蝕、NLD（磁中性環(huán)路放電）刻蝕（石英、氧化硅深刻蝕）等。
濕法刻蝕：KOH各向異性腐蝕、硅各向同性腐蝕等。
