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定義：

光刻是半導(dǎo)體制造工藝中器件和電路結(jié)構(gòu)圖形從掩膜轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片的過程。光刻是通過曝光工序?qū)⒀谀ぐ嫔系膱D案轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片表面的抗蝕劑膜上，再通過顯影工藝溶解去除或者保留被曝光區(qū)域的抗蝕劑膜， 使抗蝕劑膜生成與掩膜版相同的版圖，最后利用抗蝕劑的掩蔽作用，選擇刻蝕半導(dǎo)體晶片材料，實(shí)現(xiàn)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片表面上的目的。此外，光刻形成的圖案還能夠作為淀積薄膜過程的保護(hù)層。

類型：

包括紫外接觸接近式光刻、紫外投影步進(jìn)式光刻、電子束光刻等；可在硅片、玻璃、石英、藍(lán)寶石等硬質(zhì)襯底及PI等柔性材料上進(jìn)行光刻加工。

特殊光刻加工類型包括耐電鍍高深寬比光刻、分辨率測(cè)試、光刻膠結(jié)構(gòu)測(cè)試、SU8雙層膠結(jié)構(gòu)、懸空SU8結(jié)構(gòu)等。