產(chǎn)品分類：
GeSbTe靶，GaSb靶，Carbon靶，TiTe2靶，GaTe靶，Bi2Te3靶，Sc靶，La靶等
應(yīng)用說明：
相變存儲(chǔ)技術(shù)（PCM），作為新一代存儲(chǔ)技術(shù)，利用特殊材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)換的相變來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，其芯片廣泛使用的核心材料是GST(由鍺銻碲按比例混合而成)。PCM 的寫入速度比flash快100倍，并具備高達(dá)百萬次的數(shù)據(jù)擦寫能力(普通USB 3000次，企業(yè)級(jí)flash 3萬次)以及非易失性等優(yōu)勢(shì)，成為存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)繼DRAM、ROM、FLASH 的“后起之秀”。在新型存儲(chǔ)器中，相變存儲(chǔ)器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術(shù)最成熟的存儲(chǔ)技術(shù)。
而硫系相變存儲(chǔ)材料GST（Ge2Sb2Te5）是目前相變存儲(chǔ)器研究中最為成熟最為理想的材料，GST材料的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)晶速度快，非晶態(tài)和晶態(tài)的光電性能差別大。GaSb靶是一種用于低功耗相變存儲(chǔ)器的多層納米復(fù)合薄膜材料。
上一個(gè)產(chǎn)品：沒有了
下一個(gè)產(chǎn)品：蒸發(fā)料
