產(chǎn)品名稱(chēng)：
氧化硅片
氧化硅片是指表面有氧化層的硅片，一般是運(yùn)用熱氧化工藝在硅片表面生長(zhǎng)一層SiO2薄膜。熱氧化生長(zhǎng)方式分為干氧氧化（包括摻氯氧化）、濕氧氧化以及水汽氧化。相較于CVD沉積的方法，熱氧化生長(zhǎng)的氧化膜層致密性更好、介電強(qiáng)度更高。
應(yīng)用：
集成電路領(lǐng)域（電容器、場(chǎng)效應(yīng)管、微電子學(xué)元件等）；光電子學(xué)及光通訊領(lǐng)域（光纖通信器件、激光器等）；真空技術(shù)領(lǐng)域；生物醫(yī)藥領(lǐng)域（微流控器件、生物MEMS、生物芯片等）。
參數(shù)詳情：
1、直徑：2~8英寸
2、厚度范圍：200μm~750μm
3、氧化層厚度范圍：20nm-20um
4、晶向：<100>
5、單拋、雙拋
6、N型、P型
優(yōu)勢(shì)：
1、氧化層均勻致密、膜層質(zhì)量好。
2、表面光滑無(wú)瑕疵；平整度好、翹曲度小。
3、公司常備各種型號(hào)庫(kù)存，由大規(guī)模生產(chǎn)型氧化爐管熱氧化加工。
4、厚度＞2um的氧化層，可以定制加工（詳情請(qǐng)咨詢客服）。
5、本司會(huì)根據(jù)您的工藝應(yīng)用，為您推薦適用的氧化硅片型號(hào)。
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