產(chǎn)品名稱：
硅外延片
硅外延片就是在硅襯底上沿著原來的結(jié)晶方向生長一層單晶硅的硅片。這層單晶硅的晶體結(jié)構(gòu)是利用襯底的晶體結(jié)構(gòu)作為模板形成的。外延層是為了滿足摻雜類型、電阻率和晶格結(jié)構(gòu)等都符合要求的一些特定器件。
應(yīng)用：
1、集成電路領(lǐng)域：邏輯器件的CMOS（互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體）、DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）、分立器件等。
2、太陽能領(lǐng)域：太陽能電池等。
3、光電領(lǐng)域：光電探測器等。
4、高速電子器件領(lǐng)域：微波器件、高頻放大器等。
參數(shù)：
加工的厚度可定制，詳情可咨詢客服。
（用于高速數(shù)字電路的典型厚度是0.5~5um，用于硅功率器件的典型厚度是50~100um。）
優(yōu)勢：
1、外延可以在重?fù)诫s的襯底上生長一層輕摻雜的外延層，不僅優(yōu)化了PN結(jié)擊穿電壓，同時也降低了集電極電阻，在適中的電流強(qiáng)度下提高了器件速度。
2、外延層通常是沒有沾污的（因?yàn)橥庋訉硬皇怯谜嬲腃Z法生長的硅層，所以不存在氧顆粒等缺陷）。
上一個產(chǎn)品：測試片
下一個產(chǎn)品：沒有了
